Samsung Electronics розпочала перше в галузі масове виробництво V-NAND 9-го покоління

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва терабітних трирівневих комірок (TLC) 9-го покоління вертикальної NAND (V-NAND).

"Ми раді представити першу в галузі V-NAND 9-го покоління, яка забезпечить стрибок у розвитку майбутніх додатків. Щоб задовольнити висхідні потреби в рішеннях на основі флешпам'яті NAND, Samsung розширила межі архітектури осередків і операційної схеми для нашого продукту наступного покоління", - говорить Сунг-Хой Хур, голова підрозділу Flash Product & Technology в Samsung Electronics. "Завдяки нашій новітній V-NAND компанія Samsung продовжить задавати тренд на ринку високопродуктивних твердотілих накопичувачів (SSD) високої щільності, що відповідають потребам прийдешнього покоління штучного інтелекту".

Завдяки найменшому розміру комірки та найтоншій пресформі Samsung підвищила щільність бітів у V-NAND 9-го покоління приблизно на 50% порівняно з V-NAND 8-го покоління. Для підвищення якості та надійності продукції було застосовано інновації, як-от запобігання завадам у комірках і подовження терміну служби комірок, а усунення отворів у фіктивних каналах дало змогу значно зменшити площу комірок пам'яті.

Зазначається, передова технологія Samsung "травлення канальних отворів" демонструє лідерство компанії в технологічних можливостях. Вона створює шляхи для електронів шляхом укладання шарів кристалізатора і максимізує продуктивність виробництва, оскільки дає змогу одночасно свердлити найбільшу в галузі кількість шарів осередків у структурі з подвійним укладанням. У міру збільшення кількості шарів осередків здатність пробивати їх стає дедалі важливішою, що вимагає застосування складніших методів травлення.

V-NAND дев'ятого покоління оснащена інтерфейсом флешпам'яті NAND нового покоління Toggle 5.1, який підтримує підвищену на 33% швидкість введення/виведення даних - до 3,2 Гбіт/с. Разом із новим інтерфейсом Samsung планує зміцнити свої позиції на ринку високопродуктивних SSD, розширивши підтримку PCIe 5.0.

Порівняно з попереднім поколінням енергоспоживання також покращилося на 10% завдяки вдосконаленню конструкції з низьким енергоспоживанням. Оскільки зниження енергоспоживання та викидів вуглекислого газу стає життєво важливим для клієнтів, очікується, що V-NAND 9-го покоління від Samsung стане оптимальним рішенням для майбутніх додатків.

Samsung почала масове виробництво 1 Тб TLC V-NAND 9-го покоління цього місяця, а в другій половині цього року почнеться випуск моделі з чотирирівневими комірками (QLC).