Intel першою в галузі впроваджує технологію High NA EUV

Компанія Intel Foundry повідомила про ключову віху в передовому напівпровідниковому виробництві, завершивши збірку першого в галузі комерційного літографічного сканера з високою числовою апертурою (High Numerical Aperture) для систем з використанням екстремального ультрафіолету (EUV).

Система розташована на дослідницькому майданчику компанії в Хіллсборо, штат Орегон.

Інструмент Intel TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV від лідера в галузі літографії ASML зараз проходить етапи калібрування в рамках підготовки до виробництва дорожньої карти майбутніх технологічних процесів. Новий інструмент здатен значно покращити роздільну здатність та масштабування виробництва процесорів наступного покоління за рахунок зміни конструкції оптики для проектування масок на кремнієву пластину.

"З додаванням High NA EUV компанія Intel отримає найповніший набір інструментів для літографії в індустрії, що дозволить компанії розвивати майбутні технологічні можливості за межами Intel 18A у другій половині цього десятиліття», зазначив Марк Філліпс (Mark Phillips), науковий співробітник Intel і директор підрозділу літографії, апаратного забезпечення та рішень для розробки виробничих технологій Intel.

Зазначається, що інструменти High NA EUV відіграватимуть вирішальну роль у виробництві процесорів наступного покоління. Intel Foundry - перший в індустрії розробник High NA EUV - зможе забезпечити безпрецедентну точність і масштабованість у виробництві мікросхем, що дозволить компанії розробляти мікросхеми з найбільш інноваційними функціями та можливостями, які мають важливе значення для розвитку штучного інтелекту та інших новітніх технологій.

Нещодавно ASML оголосила, що надрукувала перші в історії лінії товщиною 10 нанометрів (нм) у лабораторії High NA в штаб-квартирі компанії у Вельдховені. Це найтонші лінії з коли-небудь надрукованих, що встановлює світовий рекорд роздільної здатності для EUV-літографічних сканерів.

Очікується, що в поєднанні з іншими провідними технологічними можливостями Intel Foundry, High NA EUV зможе друкувати елементи в 1,7 рази менші, ніж існуючі EUV-інструменти. Це дасть змогу масштабувати 2D-об'єкти, що призведе до збільшення щільності у 2,9 рази.

Порівняно з 0,33NA EUV, High NA EUV (або 0,55NA EUV) може забезпечити вищу контрастність зображення при аналогічних характеристиках, що дозволяє використовувати менше світла на експозицію, тим самим скорочуючи час, необхідний для друку кожного шару, і збільшуючи продуктивність пластини.

Intel планує використовувати як 0,33NA EUV, так і 0,55NA EUV поряд з іншими процесами літографії при розробці та виробництві сучасних мікросхем, починаючи з пробних версій Intel 18A у 2025 році та продовжуючи виробництвом Intel 14A.

Intel співпрацює з ASML протягом десятиліть, щоб стимулювати еволюцію літографії від 193-нм імерсійної літографії до EUV, а тепер і до High NA EUV.

Система TWINSCAN EXE:5000 була перевезена до Орегону в більш ніж 250 ящиках всередині 43 вантажних контейнерів. Вони були завантажені на кілька вантажних літаків, які приземлилися в Сіетлі. Потім вони були перевантажені на 20 вантажівок, які доставили їх до Орегону. Загальна вага кожної нової системи становить понад 150 метричних тонн.

Intel оголосила про свої плани щодо впровадження High NA EUV у 2021 році, а у 2022 році Intel та ASML оголосили про продовження співпраці з метою розвитку цієї передової технології. Intel планує придбати систему наступного покоління TWINSCAN EXE:5200B з продуктивністю понад 200 пластин на годину, що зробить компанію першопрохідцем і в цій галузі.

Треба зазначити, що літографія High NA EUV - це еволюційний крок у порівнянні з EUV-літографією, яка використовує довжину хвилі світла (13,5 нм), що не зустрічається в природі на Землі.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365